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CPH3456
Embossed Taping Speci ? cation
CPH3456-TL-H
No. A1803-5/7
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CPH3457-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:95 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
CPH3459-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 250mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
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